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芯片制造“大国重器”背后的九九八十一难

发布时间:2020-04-29 04:16:46 所属栏目:智能家居 来源:网络整理
导读:国产化半导体设备的徘徊与冲刺:光刻与刻蚀技术的20年

上海微电子的创建缘起2002年,这一年光刻机被正式列入国家863重大科技攻关计划,重点研发100nm光刻机。在此背景下,国家科技部和上海市政府共同牵头,国内多家企业和投资公司投资组建了上海微电子,以承担国家863计划项目。

为了在激烈的市场竞争中拥有“造血”能力,上海微电子创始人贺荣明决定在进行100nm光刻机样机研发的同时,研发另一种能够在短期内实现产业落地的先进封装光刻机。

2009年,上海微电子的首台先进封装光刻机正式交付用户,并在2012年首次实现海外销售。

此后,上海微电子逐步在LED光刻机和前道光刻机领域加大研发投入。2017年,该公司承担的02重大科技专项“90nm光刻机样机研制”任务通过了专家组现场测试,并在第二年通过正式验收。

人才方面,据2019年上半年数据,上海微电子拥有约1150名研发人员,占公司总员工数的76.7%。同时,截至2018年12月,上海微电子直接持有的各类专利及专利申请已超过2400项。

现阶段,上海微电子的主要业务布局已覆盖半导体设备、泛半导体装备,以及高端智能装备,包括IC前道、先进封装、FPD面板、MEMS和LED等制造领域。

但该公司在先进制程领域仍以90nm光刻机为主,其在今年宣布突破的22nm光刻机距离落地还有较远距离。

芯片制造“大国重器”背后的九九八十一难

3、中微半导体:先进制程刻蚀设备已打入台积电产线

比北方华创晚了三年,成立于2004年的中微半导体主要涉及芯片前端制造、先进封装、LED、MEMS制造等半导体设备领域,并在2007年成功研制出首台CCP(容性耦合等离子体)刻蚀设备,成立日本及韩国子公司。

随后几年,中微半导体不断加大对CCP刻蚀设备的研发,持续迭代刻蚀设备技术,并在2018年将工艺推进至5nm领域。这一系列技术积累亦为中微半导体的成功上市奠定了基础,2019年7月,中微半导体成功在A股科创板上市。

中微半导体所取得的成就与其创始人、董事长尹志尧息息相关。博士毕业于加州大学洛杉矶分校的尹志尧曾任职于英特尔、泛林半导体和应用材料公司,拥有二十多年的半导体开发经验,其个人在半导体领域还拥有超60项技术专利。

芯片制造“大国重器”背后的九九八十一难

▲中微半导体创始人、董事长尹志尧博士

目前,中微半导体主要进行刻蚀设备和MOCVD(金属有机化学气相沉积系统)设备的开发,其等离子刻蚀设备覆盖55nm至5nm制程工艺,其中7nm和5nm高端刻蚀设备已投入台积电生产线使用。

研发方面,2019年中微半导体研发开发支出共4.25亿人民币,占总营收21.81%,同比下降2.84%。现阶段,中微半导体正在研发新一代电容性等离子体刻蚀设备,覆盖5nm及更先进制程工艺的刻蚀需求和关键应用。

中微半导体在5nm刻蚀机领域的重大突破,不仅意味着我国刻蚀设备技术成功于全球半导体先进制程领域接轨,同时亦成为我国刻蚀设备步入国际前列的国产之光。

三、国产光刻机与刻蚀机的“九九八十一难”

对于长期面临国外技术封锁,且技术薄弱的国内光刻机和刻蚀机产业来说,想要实现国产化并非一帆风顺。

(编辑:555手机网)

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