GAAFET晶体管时代即将到来！但FinFET仍是主流

  英国初创公司Search For The Next(SFN)和苏格兰芯片制造商Semefab合作开发Bizen晶体管架构，可能从另一方向打破CMOS的极限。提出Bizen晶体管架构最初的目的就是为了创建具有较少掩膜步骤的芯片，使得同一块芯片上同时具有逻辑和功率晶体管，在这一初衷下创建一个LED驱动器的集成电路。

  SFN首席执行官Summerland提出使用齐纳二极管反向偏置特性的想法，该特性是由二极管N区域和P区域之间掺杂水平的突然变化产生的，最终致使量子电流的产生，以此来驱动双极晶体管。SFN的Bizen晶体管设计将双极结与齐纳二极管的概念结合在一起，利用量子隧穿效应从传统的双极晶体管中消除了电阻以及所有金属层。晶体管使用量子隧道连接栅极并能够建立多个栅极连接，这意味着可以在一个晶体管内创建多个非门和或门，从而缩小了逻辑电路的裸片。

  写在最后：由于没有能够满足所有应用的技术，在芯片微缩和功能扩展的过程中，制程的进步、晶体管结构的变化和其他方法会交替进行，不断推动芯片性能提升。在先进半导体制造的成本不断攀升的当下，如何利用现有的技术，获得客户青睐至关重要;如果芯片制造商不能在生产技术与制造成本中取得较好的平衡，未来难以在竞争中保持优势地位。

（编辑：555手机网）

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