GAAFET晶体管时代即将到来！但FinFET仍是主流

  Forksheet可以理解为是Nanosheet的自然延伸，具有超出2nm技术节点的额外缩放和性能。Forksheet的nFET和pFET集成在同一结构中，由介电墙将nFET和pFET隔开。优势在于它有更紧密的n到p的间距，并减少面积缩放。与Nanosheet FET相比，在相同制程下的Forksheet FET电路将更加紧凑。 

  在从平面晶体管到FinFET再到Nanosheet的进化过程中，可以将Forksheet视为下一个发展路径。CFET(Complementary FETs，互补场效应晶体管)是2nm甚至以后另一种类型的技术选项，由两个独立的Nanosheet FET(p型和n型)组成，把p型纳米线叠在n型纳米线上的结构。通过叠加的方式实现折叠的，借此消除n-to-p分离的瓶颈，能够将单元有源区域的面积减少2倍。

  IBS首席执行官Handel Jones称：“CFET前景广阔，但目前还为时过早。向1nm CFET系列逻辑器件的发展推动新BEOL和MOL解决方案的开发，但问题是即使增强了栅极结构，我们也需要增强MOL和BEOL，需要通过引入新的导体来补充这些集成方案，否则性能提升将受到限制。”对于未来技术架构的演进趋势，IMEC认为：3纳米之前采用Nanosheet、2纳米采用Forksheet、1纳米采用CFET。

  在进一步的研究中，需要解决将这些器件完全投入生产的工艺挑战。目前这些仍在研发中的技术前景尚好，但也都有更自的挑战待突破，包含散热的控制和制造成本等。但可以看到的是，2纳米及之后已有数项技术正在进行中，虽有困难但也是遥不可及。

  Bizen晶体管架构

（编辑：555手机网）

【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容!