16nm输在哪？小米6/荣耀9极限性能对比

终于，最后的跑分测试部分来了。在游戏测试前后，搭载高通骁龙835的小米6分别获得这样的跑分成绩，可以看到高温降频对于跑分的影响还是存在的，游戏测试后无论是单核心还是多核心的成绩都有一定程度的降低。

荣耀9这边你会发现，在游戏测试后的跑分中，CPU的多核心成绩下降非常厉害，但单核心成绩居然基本没有变化。多运行了几次跑分后我们发现，荣耀9在调教上针对跑分软件强制大核心满载运行，完整运行一次跑分后，机身温度甚至要比游戏测试期间更高。这也就很好解释了荣耀9在单核心成绩上能够以满载大核跑出高分，却在游戏测试期间分分钟被“虐成渣”的原因了。

性能过剩？还早得很

一系列的测试走下来，结局毫无悬念。虽然高通骁龙835的10nm制程工艺还仅仅是一代LPE FinFET，也就是“初级阶段”，却已经完胜麒麟960那边台积电成熟的第三代16nm FinFET Compact制程工艺。

即便今年之前的各路分析预测都称10nm LPE“只能和16nm FinFET+性能持平”，甚至有传言称“10nm制程将会和20nm一样悲剧”，但高通骁龙835已然展现出10nm制程的巨大潜力——的确，10nm LPE的极限性能提升并不大，但它能够保证长时间稳定高效的性能发挥，相比14nm和16nm的“三分钟真男人”要良心太多。

至于今年下半年高通将会发布的采用10nm LPP FinFET（第二代10nm）制程工艺的新旗舰SoC，我们只能说，虽然一切都是未知数，但第二代10nm制程所带来的更高性能和更优功耗绝对值得期待。

可别忘了，10nm的“油水”被榨干之后还有7nm，而就目前14nm和16nm制程依然属于市场主力的情形来看，10nm的生命周期将会比大家想象中更长。手机就这样性能过剩了？还早得很！

（编辑：555手机网）

【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容!