英特尔彻底放弃nm命名方式：为晶圆代工准备
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【DIY硬件频道】早期的晶体管命名方式，通常以晶体管的实际栅极长度作为支撑工艺名称。比如栅极长度90nm，制程工艺就命名为90nm。但其实从1997年开始，业界已经意识到基于纳米的传统制程节点命名方法，不再与晶体管实际的栅极长度相对应。 从2015年开始，半导体制程工艺的命名变得十分混乱。各个厂商之间不同的制程节点命名和编号方案，已经无法展现工艺的实际能效和性能。“最老实”的英特尔决定不和其他制造商玩数字游戏，彻底放弃“nm”工艺节点命名方式，创建了一个清晰、一致的框架，帮助客户建立更准确的行业制程节点认知。
英特尔公司CEO帕特・基辛格表示：英特尔正在加快制程工艺创新的路线图，以确保到2025年制程性能再度领先业界。对于未来十年走向超越1nm节点的创新，英特尔有着一条清晰的路径。最新命名体系是基于客户看重的关键技术参数而提出的，即性能、功率和面积。 英特尔技术专家详述了以下路线图，其中包含新的节点命名和实现每个制程节点的创新技术。英特尔在2020年推出10nm SuperFin节点，实现英特尔有史以来最强大的单节点内性能增强，英特尔不会更改10 nm SuperFin的命名。但从下一个节点Intel 7(原命名为Enhanced SuperFin)开始，英特尔后续节点将被命名为Intel 4、Intel 3和Intel 20A、Intel 18A。 Intel 7依然基于FinFET晶体管打造，与英特尔10nm SuperFin相比，Intel 7每瓦性能提升约10%-15%。率先应用于2022年的Alder Lake终端产品上，随后就是预计在2022年第一季度投产的Sapphire Rapids数据中心产品。用于超算的Ponte Vecchio GPU也会使用Intel 7工艺，同样在2022年初上市，集成基片(base tiles)和Rambo缓存晶片(Rambo cache tiles)。 Intel 7的下一代就是Intel 4，该工艺将全部采用EUV光刻技术，也是英特尔首个完全采用EUV技术的制程节点。超短波长的极紫外光能够刻印极微小的图样，每瓦性能约提升20%。英特尔预计在2022年下半年投产、2023年出货，产品包括面向用户终端的Meteor Lake、面向数据中心的Granite Rapids。英特尔还在上个季度tape in第十三代Meteor Lake芯片。 Intel 4之后就是Intel 3，预计于2023年下半年开始用于相关产品生产。得益于FinFET的优化和在更多工序中增加对EUV使用，Intel 3在芯片面积变得更小，而且每瓦性能还有大约18%的提升。 再往后的制程工艺将进入埃米级别，路线图上的两种工艺分别是Intel 20A和Intel 18A。Intel 20A预计将在2024年推出，英特尔为其引入RibbonFET和PowerVia两大突破性技术。两大创新技术中，PowerVia为英特尔独有，是业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。RibbonFET则是英特尔首次引入环绕栅极(Gate All Around)晶体管，带来更快的晶体管开关速度、实现与多鳍结构相同的驱动电流，同时占用更小的空间。 Intel 20A升级版的Intel 18A节点也已在研发中，英特尔将改进RibbonFET晶体管结构，让晶体管性能又一次实现飞跃，预计于2025年初推出。 编辑点评：英特尔队制程工艺的命名并不是非常重视，但随着英特尔计划开放晶圆代工服务，传统的命名方式会让英特尔的产品看起来更落后，哪怕英特尔产品的性能高于精品，也依然会让人产生“落后”的感觉。所以英特尔不得不更新命名方式，让拥有相同性能的产品拥有与相似名称竞品的性能。 除了制造工艺升级之外，英特尔最近几年积极布局封装产品，包括EMIB、Foveros、Foveros Omni等先进封装工艺，也是其延续摩尔定律的重要方式。 （编辑：555手机网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
