5nm工艺集体“翻车”？先进制程极限何时到？
发布时间：2021-01-25 21:09:22 所属栏目：手机新闻 来源：网络整理
导读：从苹果在2020年9月的iPad Pro上率先采用5nm工艺的A14 Bionic，随后华为、高通、三星也相继推出5nm工艺的旗舰级SoC。WikiChips分析后估计，台积电5nm的栅极间距为48nm、金属间距30nm、鳍片间距25-26nm，单元高度约为180nm。从而推算出台积电5nm的晶体管密度为1
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Cadence的数字和签准组高级产品管理总监Kam Kittrell也曾表示，“很多人都没有弄清能够消耗如此多电能的东西，他们需要提前获取工作负载的信息才能优化动态功耗。长期以来，我们一直专注于静态功耗，以至于一旦切换到FinFET节点时，动态功耗就成为大问题。另外多核心的出现也有可能使系统过载，因此必须有更智能的解决方案。” （编辑：555手机网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
