SK海力士宣布推出4D NAND闪存

iMobile手机之家，8月10日消息        近日，在美国举行的Flash Memory Summit上，SK海力士除了讲解了CTF（电荷捕获型）与Floating Gate（浮栅型）两种技术路线的差别，还宣布推出自家4D闪存。

根据现场的技术演示文档，基于CTF的4D NAND将外围电路放置在了存储单元下方，在芯片面积、成本控制方面会有更大的优势。

而性能表现方面，目前第一款4D NAND型号为V5 512Gb TLC，芯片面积11.5mm*13mm，采用了96层堆叠，I/O速度达到1.2Gbps，预计将会在今年第4季度出样，性能相比于V4 3D有明显提升，在面积减小20%的前提下读写速度分别提升了30%和25%。

BGA封装TLC颗粒容量可以达到1Tb（128GB），模组最大支持2TB，在2.5寸规格的U.2中可以做到64TB，预计将于2019年前半年出样。

（编辑：555手机网）

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