三星拟投400多亿扩大芯片产能 明年量产V-NAND闪存

　　【新闻】据外媒SAMMOBILE消息，三星计划扩大韩国的存储芯片产能。

　　三星是存储器和存储芯片领域的全球领导者，该公司目前已宣布计划扩大其NAND闪存芯片的生产。自从疫情封锁以来，它已在平泽工厂投资2号流水线以扩大生产，来满足由计算机和服务器的不断增长带来的需求。新工厂的建设于上个月开始，三星表示V-NAND闪存芯片的批量生产将从2021年下半年开始。它表示，由于采用率的提高，未来的存储芯片将会用于5G、AI（人工智能）和IoT（物联网）。

三星计划扩大韩国的存储芯片产能（图源SAMMOBILE）

　　分析人士说，三星将为新工厂投资7万亿韩元至8万亿韩元（约合400多亿元人民币）。新生产线将满足NAND闪存芯片的中期和长期需求。随着数字生活方式的不断发展，该公司计划进行更多投资。三星的平泽厂区是世界上最大的两条内存生产线的所在地。

　　三星电子存储器全球销售与营销执行副总裁Cheol Choi表示：“这项新投资兑现了我们的承诺，即使在艰难时期，我们也将保持在存储器技术领域的领先地位。我们将继续为市场提供最优化的解决方案，同时为整个IT行业和整个经济的增长做出贡献。”

（编辑：555手机网）

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