打破外企垄断：国产氮化镓核心器件重大突破

初级侧和次级侧之间采用镂空绝缘，同时也可以方便插入麦拉片增加绝缘性能。

得益于内置了氮化镓控制器和驱动器，所以美思迪赛MX6535相比市面上常见的安森美氮化镓控制器而言，集成度更高，也更适合利于小型化电源的设计和开发。

该方案搭载的GaN功率器件来自国产氮化镓供应商–英诺赛科，型号INN650D02，耐压650V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求。INN650D02 “InnoGaN”开关管高频特性好，且导通电阻小，适合高频高效的开关电源应用，采用DFN8*8封装，具备超低热阻，散热性能好，适合高功率密度的开关电源应用。

INN650D02 “InnoGaN”开关管基于业界领先的8英寸生产加工工艺，是目前市面上最先量产的先进制程氮化镓功率器件，这项技术的大规模商用将推动氮化镓快充的快速普及。

（编辑：555手机网）

【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容!